cvd化学气相沉积设备，化学气相沉积设备

化学气相沉积技术

简称CVD技术。它是利用加热、等离子体增强，光辅助等手段或低压条件下使气态物质通过化学反应在基体表面上制成固态薄膜的一种成膜技术。一般把反应物是气体生成物之一是固体的反应，称为CVD反应。利用CVD反应制备的涂层种类较多，特别是半导体工艺中用途广泛。例如在半导体领域，原料的精制、高质量半导体单精膜的制备、多晶膜非晶膜的生长，可以说从电子器件到集成电路的制作等无一不与CVD技术有关。此外，在材料表面处理上更是受到人们青睐。例如机械、反应堆、宇航、医用以及化工设备用等各种材料都可以按照它们的不同要求，采用CVD成膜方法制备出具有防腐蚀、耐热、耐磨、表面强化等功能性涂层。

CVD技术一般来说，具有如以下一些特点：

1、设备的工艺操作都较简单、灵活性较强，能制备出配比各一的单一或复合膜层和合金膜层；

2、CVD法的适用性较广泛，可制备各种金属或金膜涂层；

3、因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米，因此生产效率高，

4、PVD法相比较绕射性好，非常适宜涂覆复杂的基体，如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制成膜；

5、涂层致密性好，由于成膜过程温度高，膜基界面上的附着力很强，故膜层十分牢固；

6、承受放射线后的损伤较低，能与MOS集成电路工艺相融合。

CVD技术的不足，一是沉积温度高达800~1100℃。在这样高的温度下工件易变形，特别是对于那些不耐高温变化的高精度尺寸的工件，对其用途会受到一定的限制；二是由于参与沉积的反应物质反应后的气体大都具有易燃、易爆、有毒或是有一定腐蚀性，因此必须采取一定的防护措施。
以上就是：cvd化学气相沉积设备，化学气相沉积设备